Delwedd Sintered Silicon Carbide(SSiC) Teil Hecsgonal Sylw

Teil Hecsgonal Carbid Silicon Sintered(SSiC).

Disgrifiad Byr:

Mae teilsen hecsgonal carbid silicon sintered (SSiC) yn cael ei phrosesu gan sintro di-bwysedd o bowdr carbid silicon ultra-mân pur iawn mewn ffwrnais gwactod ar dymheredd 2100 ° C - 2200 °.gyda pherfformiad mecanyddol premiwm, ymwrthedd cryf i sgraffinio gronynnog, tymheredd uchel, wedi'i gyfuno'n arbennig â dalen rwber fel plât traul sy'n gwrthsefyll crafiad, neu fod yn gydrannau peiriant effeithlonrwydd uchel fel pympiau gyrru, llewys, modrwyau sêl, nozzles, llwyni ac ati.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Manteision:

1) Gwisgo a Gwrthsefyll Cyrydiad
2) Trosglwyddo Gwres Cyflym
3) Gwrthiannol i Sioc Thermol
4) Dargludedd Thermol Uchel
5) Ocsidiad ac Ymbelydredd Gwrthiannol
6) Cryfder Uchel a Sefydlog Iawn